四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體。

可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、

泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。

由于化學穩定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。

四氟化碳貯存注意事項

1. 氣瓶使用和檢驗遵照國家質量技術監督局《氣瓶安全監察規程》的規定。

2. 氣瓶不得靠近火源，不得受日光曝曬，與明火距離一般應該不小于10米，氣瓶不得撞擊。

3. 氣瓶的瓶子嚴禁沾染油脂。氣瓶內的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。